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HTCC又稱為高溫共燒多層陶瓷，生產制造過程與LTCC極為相似，主要的差異點在于HTCC的陶瓷粉末并無加入玻璃材質，因此，HTCC的必須再高溫1300～1600℃環(huán)境下干燥硬化成生胚，接著同樣鉆上導通孔，以網版印刷技術填孔與印制線路，因其共燒溫度較高，使得金屬導體材料的選擇受限，其主要的材料為熔點較高但導電性卻較差的鎢、鉬、錳等金屬，最后再疊層燒結成型。HTCC（高溫共燒陶瓷）生產制造過程與LTCC（低溫共燒陶瓷）非常相似，主要的不同點在于HTCC的陶瓷粉末中未加入玻璃材質，因此，HTCC的必須在900℃以下先進行排膠處理后再在更高的1500-1600℃高溫環(huán)境中將多層疊壓旳基片共燒成一體。HTCC工藝電路填充過程同樣采用絲網印刷，但因其共燒溫度較高，使得填充漿料的選擇受限，為避免低熔點金屬材料在高溫時被氧化造成工藝困難，所選的材料為一般熔點較高但導電性卻較差的鎢、鉬、錳等金屬或貴金屬。與低溫共燒陶瓷相比高溫共燒陶瓷由于材料燒結的溫度更高因而具更高機械強度、散熱系數、更好的化學穩(wěn)定性、材料來源廣泛和成本低，布線密度高等優(yōu)點。在對熱穩(wěn)定性要求更高、基體機械強度要求更高，高溫條件下揮發(fā)性氣體要求更少、密封性要求更高的發(fā)熱和封裝領域，HTCC工藝得到了更為廣泛的應用。目前，全球HTCC高溫共燒陶瓷行業(yè)發(fā)展比較好的國家是日本，國內的HTCC高溫共燒陶瓷企業(yè)面臨國內品牌的競爭的同時，也將面臨國外品牌的競爭。其中，國外比較著名的HTCC高溫共燒陶瓷生產企業(yè)有日本京瓷、日本村田和MARUWA。目前，越來越多的低功率器件封裝在陶瓷外殼中，那么如何讓這些封裝的散熱符合要求呢？由于氮化鋁的熱導率較高，散熱較為容易，所以對于高溫共燒陶瓷來說，可通過采用氮化鋁高溫共燒陶瓷基板來解決。未來幾年，隨著HTCC高溫共燒陶瓷下游領域的不斷擴大，特別是我國電子元器件行業(yè)的蓬勃發(fā)展，對HTCC高溫共燒陶瓷的市場需求將不斷增加，從而帶動HTCC高溫共燒陶瓷的市場規(guī)模的不斷增加。預計到2020年，我國HTCC高溫共燒陶瓷行業(yè)市場規(guī)模將有望達到6.4億元。 

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