二、上游分析
1.成本結(jié)構(gòu)
作為第三代半導體材料的典型代表，碳化硅材料被認為是功率半導體行業(yè)未來主要發(fā)展方向。從碳化硅器件的制造成本結(jié)構(gòu)來看，襯底成本最大，占比達47%；其次是外延成本，占比為23%。這兩大工序制備難度大，技術和資金壁壘高，是行業(yè)發(fā)展的關鍵環(huán)節(jié)。
數(shù)據(jù)來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理
2.碳化硅襯底市場規(guī)模
碳化硅襯底是一種由碳和硅兩種元素組成的化合物半導體單晶材料，按照電學性能的不同，碳化硅襯底可分為導電型碳化硅襯底和半絕緣型碳化硅襯底。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，2022年全球?qū)щ娦吞蓟枰r底和半絕緣型碳化硅襯底市場規(guī)模分別為5.12億美元和2.42億美元，預計到2023年市場規(guī)模將分別達到6.84億美元和2.81億美元。
數(shù)據(jù)來源：Yole、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理
3.碳化硅襯底領域主要企業(yè)
碳化硅襯底的尺寸主要有2英寸（50mm）、3英寸（75mm）、4英寸（100mm）、6英寸（150mm）、8英寸（200mm）等規(guī)格。碳化硅襯底正在不斷向大尺寸的方向發(fā)展，目前行業(yè)內(nèi)公司主要量產(chǎn)產(chǎn)品尺寸集中在4英寸及6英寸，8英寸處于研發(fā)階段。國內(nèi)廠商中，天科合達、天岳先進為行業(yè)龍頭企業(yè)，2022年天岳先進碳化硅襯底產(chǎn)量7.11萬片，同比增長5.82%。
資料來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理
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