2.碳化硅功率器件市場競爭格局
從市場競爭格局來看，全球碳化硅器件市場格局仍由海外巨頭主導(dǎo)，以意法半導(dǎo)體、英飛凌、科銳、羅姆半導(dǎo)體等為代表的企業(yè)占據(jù)了大部分市場份額。國內(nèi)廠商中，比亞迪已經(jīng)在整車中率先使用SiC器件，比亞迪半導(dǎo)體率先實(shí)現(xiàn)了SiC三相全橋模塊在電機(jī)驅(qū)動控制器中的大批量裝車。
數(shù)據(jù)來源：Yole、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理
3.碳化硅基氮化鎵射頻器件規(guī)模
目前主流的射頻器件有砷化鎵、硅基LDMOS、碳化硅基氮化鎵等不同類型。碳化硅基氮化鎵射頻器件具有良好的導(dǎo)熱性能、高頻率、高功率等優(yōu)勢，有望開啟廣泛應(yīng)用。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，隨著通信基礎(chǔ)建設(shè)和軍事應(yīng)用的需求發(fā)展，全球氮化鎵射頻器件市場規(guī)模將持續(xù)增長，預(yù)計(jì)到2023年其市場規(guī)模將達(dá)到14.18億美元。
數(shù)據(jù)來源：Yole、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理
4.功率半導(dǎo)體市場規(guī)模
中國是全球功率半導(dǎo)體最大的需求國，新能源光伏發(fā)展帶動功率半導(dǎo)體需求的進(jìn)一步提升，2022年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模約191億美元，預(yù)計(jì)2023年以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體將保持快速增長，到2027年市場規(guī)模有望達(dá)到238億美元。
數(shù)據(jù)來源：Omdia、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理
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